SEM改装型电子束直写
发布时间: 2014-03-27 浏览次数: 1279
 

 

 

 

 

型号:Zeiss Sigma SEM和Raith Elphy Plus
 
 

技术指标:

肖特基热场发射电子源

加速电压:100V 30kV

放大倍率:12X 1000,000X

SEM分辨率:1nm@30kV1.5nm 15kV),2.8nm 1kV

电子束曝光:10nm20kV

场拼接精度:< 100nm

扫描频率:6MHz

图形格式:GDSII

 

主要功能:

    利用曝光抗蚀剂,采用电子束直接曝光,可在各种衬底材料表面直写各种图形,图形结构(最小线宽为10nm),是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件,光子晶体,低维半导体等前沿领域。