
原理:
利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子,氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面轰击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理刻蚀。
技术指标:
主要用于各种金属以及氧化物等复杂体系的刻蚀等,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。
离子能量:100 - 650 eV
束流密度:0.2 - 0.7 mA/cm2
刻蚀均匀性:±5% ( 4英寸 )
装片:一片6英寸,向下兼容任意规格样品
极限真空:8.5E-5 Pa( 45分钟从 atm 抽至 5E-4 Pa )
基底冷却温度:5 - 25 oC
样品台旋转:自转 9 rpm, 倾斜 0 - 90o