原理：
利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。
技术指标：
主要用于各种金属以及氧化物等复杂体系的刻蚀等，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。
离子能量：100 - 650 eV
束流密度：0.2 - 0.7 mA/cm2
刻蚀均匀性：±5% （ 4英寸 ）
装片：一片6英寸，向下兼容任意规格样品
极限真空：8.5E-5 Pa（ 45分钟从 atm 抽至 5E-4 Pa ）
基底冷却温度：5 - 25 oC
样品台旋转：自转 9 rpm， 倾斜 0 - 90o
