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原理:

通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解,产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面,对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体,又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离,所以等离子体密度可以更高,加速能力也可以加强,以获得更高的刻蚀速率,以及更好的各向异性刻蚀。


技术指标:

主要用于刻蚀Si基材料,Si,SiO2,SiNx,低温深Si刻蚀等,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。

ICP源功率:0 - 3000 W

RIE源功率:0 - 600 W

基底温度:-120oC - 80oC 可调

刻蚀均匀性:±5% ( 4英寸 )

装片:一片4英寸,向下兼容任意规格样品

刻蚀气体:BCl3,HBr,SF6,CF4,C4F8,CHF3,Ar,O2