仪器设备
 
您当前位置: 首页  仪器设备  干法刻蚀  反应离子刻蚀

 

点击查看原图

原理:

在反应离子刻蚀中,气体放电产生的等离子体中有大量化学活性的气体离子,这些离子与材料表面相互作用导致表面原子产生化学反应,生成可挥发产物。这些挥发产物随真空抽气系统被排走。随着材料表层的“反应-剥离-排放”的周期循环,材料被逐层刻蚀到指定深度。除了表面化学反应外,带能量的离子轰击材料表面也会使表面原子溅射,产生一定的刻蚀作用。所以,反应离子刻蚀包括物理和化学刻蚀两者的结合。


技术指标:

主要用于Si,SiO2,SiNx的刻蚀以及光刻胶的去除等,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。

RIE源功率:0 - 600 W

刻蚀均匀性:±5% ( 4英寸 )

装片:一片4英寸,向下兼容任意规格样品

刻蚀气体:SF6,CF4,CHF3,Ar,O2