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 原理:

在保持一定压力的原料气体中,借助射频功率产生气体放电,使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体。在气体放电等离子体中,由于低速电子与气体原子碰撞,产生正、负离子之外,还会产生大量的活性基,从而大大增强反应气体的化学活性。这样,在相对较低的温度下,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。由于 PECVD 技术是通过反应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来,采用 PECVD 技术制备薄膜材料时, 薄膜的生长主要包含以下三个基本过程:

首先,在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;其二,各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运,同时发生各反应物之间的次级反应;最后,到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。

PECVD的优点是:基本温度低,沉积速率快,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂


技术指标:

可蒸发不同厚度的SiO2和SiNx薄膜,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。

沉积薄膜种类:SiO2,SiNx,SiONx

基底温度:小于400oC

薄膜均匀性:±3% ( 4英寸 )

装片:小于6英寸的任意规格的样品若干

设备状态:

可预约使用