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技术指标:

主要用于溅射TiAlNiAuAgCrPtCuTiWPdPtZn等金属薄膜,AlNSiO2等介质薄膜

极限真空:7E-8 Torr 30分钟从 atm 抽到 5E-6 Torr

薄膜均匀性:±5%  4英寸

靶源:24英寸,42英寸。样品兼容4英寸及以下尺寸。

电源:具备RF(600W), DC Pulse DC(1KW)

样品温度:0-500oC

工艺气体:ArO2N2

主要功能:

电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子借助于靶表面上形成的正交电磁场,被束缚在靶表面特定区域,增强电离效率,增加离子密度和能量,从而实现高速率溅射。是制备低维度,小尺寸纳米材料器件的必备实验手段,广泛应用于集成电路,光子晶体,低维半导体等领域。