仪器设备
 
您当前位置: 首页  仪器设备  图形加工  紫外光刻

 

 

型号:MA6

技术指标:

光源波长:365nm——436nm

最小线宽:0.8um

套准精度:±0.5um

最小曝光时间:0.1s

晶圆尺寸:碎片(如1cm2cm等小尺寸)、2-5英寸。

曝光模式:硬接触模式、真空接触模式、低真空接触模式、软接触模式、接近式接触模式。

对准模式:正面对准和背面对准。

主要功能:

    采用紫外光源,实现光刻胶的曝光,将光刻版上的图形转移到光刻胶上,在光刻胶上制作出亚微米(>0.8um)图形结构。紫外光刻系统是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。