型号：MA6

技术指标：

光源波长：365nm——436nm。

最小线宽：0.8um。

套准精度：±0.5um

最小曝光时间：0.1s

晶圆尺寸：碎片（如1cm、2cm等小尺寸）、2-5英寸。

曝光模式：硬接触模式、真空接触模式、低真空接触模式、软接触模式、接近式接触模式。

对准模式：正面对准和背面对准。

主要功能：

    采用紫外光源，实现光刻胶的曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，在光刻胶上制作出亚微米（＞0.8um）图形结构。紫外光刻系统是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。