型号:MA6
技术指标:
光源波长:365nm——436nm。
最小线宽:0.8um。
套准精度:±0.5um
最小曝光时间:0.1s
晶圆尺寸:碎片(如1cm、2cm等小尺寸)、2-5英寸。
曝光模式:硬接触模式、真空接触模式、低真空接触模式、软接触模式、接近式接触模式。
对准模式:正面对准和背面对准。
主要功能:
采用紫外光源,实现光刻胶的曝光,将光刻版上的图形转移到光刻胶上,在光刻胶上制作出亚微米(>0.8um)图形结构。紫外光刻系统是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。